TSMC, 1나노 공정과제를 해결할 재료를 개발한 것일까 'Nature '게재

외신 등에 따르면 TSMC, NTU(국립대만대), MIT는 Nature지에 1나노미터 제조 프로세스로 트랜지스터 콘택트 전극에 사용되는 재료를 개발했다고 밝혔다.

TSMC가 1나노미터 제조 프로세스의 난제를 해결하고 양산에 한발 다가선 것이다.

12일 국내신문에 따르면 반도체의 주요 재료인 실리콘을 반금속 원소인 비스무트(Bi)와 결합해 양자의 한계에 가까운 저저항을 실현할 수 있는 2차원 소재로 대체한다는 것이 이번 연구를 통해 발견된 주요 내용이다.

비스무스와의 조합으로 높은 접촉저항과 저전류 전달능력이라는 독특한 특성을 지닌 2차원 소재의 한계를 극복해 반도체 효율을 최고 수준으로 높일 수 있다는 설명 이다.

반도체 미세화가 한계에 이르면서 제조사들은 실리콘을 대체할 2차원 소재 개발 연구에 착수하고 있는데 이번 연구결과로 기술적 과제를 해결할 수 있을 것이라는 기대감이 나오고 있는 것으로 알려졌다.

TSMC와 NTU, MIT는 지난 2019년부터 약 18개월간 연구개발에 협력해 왔다.

MIT가 핵심 기술을 발견하고 TSMC가 프로세스를 최적화하고 NTU가 이를 1나노로 압축하는 데 주력한 것으로 전해진다.

IBM은 최근 세계 최초로 2나노 공정 기반의 칩을 공개하면서 2024년 말 양산 개시를 목표로 하고 있다.

삼성전자는 5나노 제품을 양산하고 3나노 기술을 개발 중이다.

한편, TSMC는 3나노 공장도 이르면 7월 가동에 들어가 시험생산에 들어갈 것으로 전망했다.



(-5%)
https://www.stylec.co.kr/shop/item.php?it_id=1609403862&cid=3156541440

플레이스테이션4 마블 어벤져스 한정판