비스무스와의 조합 썸네일형 리스트형 TSMC, 1나노 공정과제를 해결할 재료를 개발한 것일까 'Nature '게재 외신 등에 따르면 TSMC, NTU(국립대만대), MIT는 Nature지에 1나노미터 제조 프로세스로 트랜지스터 콘택트 전극에 사용되는 재료를 개발했다고 밝혔다. TSMC가 1나노미터 제조 프로세스의 난제를 해결하고 양산에 한발 다가선 것이다. 12일 국내신문에 따르면 반도체의 주요 재료인 실리콘을 반금속 원소인 비스무트(Bi)와 결합해 양자의 한계에 가까운 저저항을 실현할 수 있는 2차원 소재로 대체한다는 것이 이번 연구를 통해 발견된 주요 내용이다. 비스무스와의 조합으로 높은 접촉저항과 저전류 전달능력이라는 독특한 특성을 지닌 2차원 소재의 한계를 극복해 반도체 효율을 최고 수준으로 높일 수 있다는 설명 이다. 반도체 미세화가 한계에 이르면서 제조사들은 실리콘을 대체할 2차원 소재 개발 연구에 착수하.. 더보기 이전 1 다음
